三星拟投巨资在美建半导体代工厂 涉5G等尖端系统

  中新网11月24日电 综合韩媒报道,当地时间23日,韩国三星电子表示,最终确定将在美国得克萨斯州泰勒市新建半导体代工厂,负责生产5G等尖端系统半导体。预计投资规模达170亿美元(约合人民币1086亿元),创三星电子在美投资规模之最。

点击进入下一页
资料图:图为韩国三星公司的3纳米12英寸晶圆。张亨伟 摄

  据报道,当地时间23日,韩国三星电子在美国得克萨斯州州长官邸举行记者会,公布将斥资170亿美元,在得州泰勒市新建半导体晶圆代工厂。

  报道指出,这将是三星电子在美国的第二座半导体晶圆代工厂。工厂总面积为500万平方米,将于2022年上半年动工,计划于2024年下半年投入量产。

  据介绍,此工厂负责生产5G、高性能计算机(HPC)和人工智能等尖端系统半导体。

  针对选址原因,三星电子表示,公司综合考虑新厂与其在美国的奥斯汀工厂的协同效应、半导体生态系统和基建供应稳定性、与地方政府的合作等因素,敲定泰勒市为新厂址。

  三星电子还指出,由于新厂距离奥斯汀工厂只有25公里,便于使用既有基础设施。加上得州有许多IT企业和著名大学,有利于吸引顾客和优秀人才。

  泰勒市政府也承诺,将向三星电子提供丰厚的优惠。

  报道称,从韩国器兴、华城、平泽,到美国奥斯汀和泰勒,三星电子的全球系统半导体生产体系,将更为牢固。

  2021年5月,三星电子在美国华盛顿特区举行的“韩美商务圆桌会议”上,发布在美新建晶圆工厂计划,时隔6个月,最终敲定工厂选址。

 

 

评论

    匿名评论
  • 评论
人参与,条评论

热门新闻

生活好评排行